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SK海力士计划今年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度

09: 03: 27技术圈在这里

SK海力士表示,今年早些时候将大幅削减3D NAND晶圆的生产能力,并重新考虑组装M15和M16晶圆厂以减少企业资本支出的计划。事实上,由于3D NAND存储器市场供过于求,制造商不得不削减产量以稳定价格。例如,今年早些时候,SK计划将3D NAND晶圆产量减少10%。然而,本周的最新计划已经调整,以减少15%的产量(与2018年相比)。

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(图片来自:SK海力士,来自AnandTech)

在2019年第二季度,随着公司增加72层3D NAND的产量,SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%。传统上,第一季度需求缓慢但整体增长,但与此同时,3D NAND的平均价格下降了25%,这是SK海力士决定减产的主要原因。

随着SK海力士和其他NAND闪存制造商向具有更多层的更高级3D NAND设计过渡,或启用3D QLC,每单元的更高位密度将在一定程度上导致供过于求。将晶圆切割10-15%不足以降低相同容量的容量。

SK海力士目前为数据中心和主流SSD市场生产72层3D NAND。 512 Gb 96层3D TLD NAND于去年11月投入生产,该公司计划很快增加96层3D NAND的产量。

此外,SK海力士最近开始增加1 Tb“4D”TLC NAND的输出。这种采用单元外设(PUC)架构的电荷陷阱闪存(CTF)设计有望显着增加目前出货的3D NAND出货量。密度进一步提高产能。

最后,除了减少3D NAND晶圆的数量外,SK海力士将减缓韩国清州M15工厂(可生产DRAM和3D NAND)的洁净室扩建,并延迟在利川附近的M16工厂安装设备。

虽然SK海力士没有给出详细的解释,但它表示与2019年相比,,该决定将大大减少2020年的资本支出,这意味着该工厂的新产能可能不会在明年上线。

SK海力士表示,今年早些时候将大幅削减3D NAND晶圆的生产能力,并重新考虑组装M15和M16晶圆厂以减少企业资本支出的计划。事实上,由于3D NAND存储器市场供过于求,制造商不得不削减产量以稳定价格。例如,今年早些时候,SK计划将3D NAND晶圆产量减少10%。然而,本周的最新计划已经调整,以减少15%的产量(与2018年相比)。

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(图片来自:SK海力士,来自AnandTech)

2019年第二季度,SK Hynix的NAND闪存出货量同比增长40%,因为该公司增加了72层3D NAND的生产。传统上,第一季度的需求缓慢,但总体增长,但同时,3D NAND的平均价格下降了25%,这是sk hynix决定减产的主要原因。

随着sk-hynix和其他NAND flash制造商转向更先进的3d NAND设计,采用更多的层,或启用3d QLC,每个单元的更高比特密度将在一定程度上导致供应过剩。将晶圆切割10-15%不足以降低相同容量的容量。

SK Hynix目前为数据中心和主流SSD市场生产72层3D NAND。512 GB 96层3D TLD NAND于去年11月投产,公司计划很快增加96层3D NAND的产量。

此外,sk-hynix最近开始增加1 TB“4D”TLC NAND的产量。这种电荷陷阱闪存(CTF)设计采用了单元外围设备(PUC)架构,预计将显著增加当前装运的3D NAND数量。密度和进一步提高产能输出。

最后,除了减少3D NAND晶片的数量外,SK-Hynix还将减缓韩国清州附近M15工厂(可生产DRAM和3D NAND)的洁净室扩建,并推迟在Icheon附近的M16工厂安装设备。<<> >

虽然SK海力士没有给出详细的解释,但它表示与2019年相比,,该决定将大大减少2020年的资本支出,这意味着该工厂的新产能可能不会在明年上线。